[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法在审
| 申请号： | 202010081427.4 | 申请日： | 2020-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN111564355A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 青木裕介;高田郁弥;户花敏胜;森北信也;藤原一延;阿部淳;永海幸一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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