[发明专利]一种探测无定形硒电中性缺陷态的方法在审
| 申请号： | 202010082045.3 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111239098A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨凯锋;李恒梅;邹广田 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种探测无定形硒电中性缺陷态的方法属于半导体材料物性检测领域，具体有以下步骤：步骤S1：将无定形硒样品装进金刚石对顶砧压腔，对样品施加压力；步骤S2：测量不同压力下无定形硒的拉曼散射信号；步骤S3：通过分析拉曼散射强度随压力的变化确定缺陷态能级。本发明的方法可行性高，简单易行，能够有效地探测到无定形硒的由二面角畸变导致的电中性缺陷态，可以精确测定缺陷态能级及其随压力的变化关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 无定形 中性 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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