[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法在审
申请号: | 202010082372.9 | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN111554692A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 铃村功;神内纪秀;渡壁创;花田明纮;小野寺凉 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明要解决的技术问题在于,提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括:形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片;像素电极;有机平坦化膜;形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜;形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜;和贯通孔,其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中,使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有:上述有机平坦化膜露出的第一部分;和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的