[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010082372.9 申请日: 2020-02-07
公开(公告)号: CN111554692A 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 铃村功;神内纪秀;渡壁创;花田明纮;小野寺凉 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 邸万杰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明要解决的技术问题在于,提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括:形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片;像素电极;有机平坦化膜;形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜;形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜;和贯通孔,其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中,使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有:上述有机平坦化膜露出的第一部分;和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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