[发明专利]非易失性存储器件在审
| 申请号： | 202010082594.0 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111554331A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 柳承佑;金相录;田炳宽;郑秉勋;任政燉;崔荣暾 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器器件包括第一存储器单元阵列、第一双向复用器、第一寄存器、第二寄存器、第一I/O焊盘和第二个I/O焊盘。第一存储器单元阵列存储第一数据。第一双向复用器接收第一数据并将第一数据分发为第一子数据和第二子数据。第一寄存器存储来自第一双向复用器的第一子数据。第二寄存器存储来自第二双向复用器的第二子数据。第一I/O焊盘将来自第一寄存器的第一子数据输出到外部。第二I/O焊盘将来自第二寄存器的第二子数据输出到外部。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
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