[发明专利]一种半导体器件的缺陷检查方法、装置和可读存储介质有效
| 申请号： | 202010083820.7 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111275695B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 冈崎信次;卢意飞;赵宇航;李铭;王建国 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海先综检测有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/70;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体缺陷检查的装置和方法，该方法包括接收制作半导体晶圆曝光图形的工序信息、掩模图形的信息和/或与所述半导体晶圆具有相同的曝光图案并经相同的工序处理后的晶圆的缺陷频率的信息；确定半导体晶圆曝光图形的缺陷检查位置，模拟并统计半导体晶圆曝光图形在工序信息条件下所导致的波动几率，半导体晶圆曝光图形在抗刻蚀剂材料信息条件下所导致的波动几率，和/或半导体晶圆曝光图形在掩模图形的尺寸信息条件下所导致的波动几率；根据波动几率的合成值，设定对曝光图形的局部或全部进行缺陷检查频率；根据缺陷检查频率进行缺陷检查。因此，本发明通过预先计算半导体缺陷检查频率来缩短半导体缺陷检查时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 缺陷 检查 方法 装置 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
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