[发明专利]具有碳膜保护层的有机半导体磁阻器件及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010084178.4 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113257993B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡文平;丁帅帅;于曦;王冬 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01 |
| 代理公司： | 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 | 代理人： | 李薇 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有碳膜保护层的有机半导体磁阻器件及其制备方法和应用，有机半导体磁阻器件为由衬底、第一导电层、有机半导体层、碳膜保护层和第二导电层自下而上依次构成的垂直叠层结构，所述碳膜保护层为碳，所述第一导电层的结构包括多个平行设置的第一长方体，所述第二导电层的结构包括多个平行设置的第二长方体，所述第二长方体的正上方有所述第一长方体且所述第二长方体的长度方向和第一长方体的长度方向垂直，所述碳膜保护层在水平面上的横截面形状与所述第二导电层在水平面上的横截面形状相同。有效解决传统有机半导体磁阻器件中第二导电层制备方法中热辐射和金属粒子渗透对有机半导体层的污染和破坏问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护层 有机半导体 磁阻 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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