[发明专利]一种三维堆叠闪存单元阈值电压分布模型构建方法在审
申请号: | 202010086344.4 | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN111276176A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 吴佳;李礼;陈佳;苗诗君;余云;杨冀;季峰;刘碧贞 | 申请(专利权)人: | 上海威固信息技术股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/12 | 分类号: | G11C16/12;G11C16/14;G11C16/22;G11C5/14 |
代理公司: | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人: | 王文锋 |
地址: | 201702 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维堆叠闪存单元阈值电压分布模型构建方法,首先设定不同的测试条件,将随机生成的数据写入闪存块中,使用不同的读参考电压获取落入两个相邻读参考电压内的单元数量离散点。然后,利用差值拟合的方法绘制阈值电压分布曲线,获取每一存储层单元阈值电压分布参数和模型。本发明的方法能够构建准确的三维堆叠闪存阈值电压分布动态演化模型;能够获取三维堆叠闪存每一存储层中的存储单元的阈值电压分布模型;能够为设计相关方案提高数据存储可靠性提供有力支撑和参考依据。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 堆叠 闪存 单元 阈值 电压 分布 模型 构建 方法 | ||
【主权项】:
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