[发明专利]基于铁电畴反转的突触三端器件在审
| 申请号： | 202010087808.3 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN113257913A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 葛琛;孙勤超;金奎娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于铁电畴反转的突触三端器件，包括：铁电层，其由具有铁电性的多元氧化物材料构成；沟道层，由能够被铁电体调控进而电阻发生变化的导电材料构成；第一电极，位于铁电层上方；第二电极和第三电极，其设置在所述沟道层的侧边。本发明的基于铁电畴反转的突触三端器件能够根据外界刺激改变自身的电阻值，使得器件能够模拟神经突触。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铁电畴 反转 突触 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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