[发明专利]基于铁电畴反转的两端神经形态器件在审
| 申请号： | 202010087816.8 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN113257996A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 葛琛;孙勤超;金奎娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于铁电畴反转的两端神经形态器件，包括：铁电层，其由具有铁电性的无机多元氧化物材料构成；上电极和下电极，其分别设置在所述铁电层的两端。本发明的基于铁电畴反转的两端神经形态器件能够根据外界刺激改变自身的属性，使得器件能够模拟神经突触。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铁电畴 反转 两端 神经 形态 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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