[发明专利]异质结构以及采用异质结构的发光器件有效

专利信息
申请号: 202010087849.2 申请日: 2020-02-12
公开(公告)号: CN111668351B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 张剑平;高英;周瓴 申请(专利权)人: 博尔博公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/32;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/109
代理公司: 青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256 代理人: 梁春艳
地址: 美国加利福尼亚州圣何塞市*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请提供了包含一个或多个正电荷薄层或包含具有特定厚度的交替堆叠的AlGaN势垒和AlGaN势阱的异质结构。还提供了多量子阱结构和p型接触。所述异质结构、多量子阱结构和p型接触可用于发光器件和光电探测器。
搜索关键词: 结构 以及 采用 发光 器件
【主权项】:
暂无信息
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