[发明专利]一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2

摘要

一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R‑MoS2薄膜的方法，它涉及大面积单晶3R‑MoS2薄膜的制备方法。它是要解决现有的方法制备的3R‑MoS2薄膜相变时电阻率变化小的技术问题。本方法：一、以KCl、NaCl、硫类盐和钼类盐制备电解质体系；二、将基片打磨、抛光、清洗后，放入电解槽中；三、以金属钼丝为工作电极和辅助电极进行电解，然后将基片洗涤、烘干，在基片表面得到单晶3R‑MoS2薄膜。本发明的方法成膜率高达100％，薄膜在绝缘体‑金属相变过程中的电阻率变化幅度达到4个多数量级，可用于光电、红外和气体传感领域。