[发明专利]光传感器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010088151.2 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111554753A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 塚越功二 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将光半导体元件（4）固定在基部（3）的凹部（3b），将光半导体元件（4）的焊盘部和基部（3）的引线部（6）电连接。在基部（3）的外侧区域的突出部（3a）的上表面设置有：具有切口部（13a、13b）的金属化层（9）、接合层（10）、具有切口部（12a、12b）的金属化层（8）、以及盖部（2）。提供一种能够通过使用金属化层（8、9）和接合层（10）来将盖部与基部（3）气密地接合的光传感器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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