[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在审
| 申请号： | 202010088914.3 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111564388A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 奥田和幸;樱井修三;井之口泰启;南政克 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够提高基板上所形成的膜的基板面内膜厚分布的控制性。基板处理装置的气体供给系统具备：将第一处理气体暂时性地贮留的第一贮留部、将第一处理气体暂时性地贮留的第二贮留部、使第一贮留部内贮留的第一处理气体从基板的外周向朝向基板的中心的方向供给的第一气体供给口、以及构成为将第二贮留部内贮留的第一处理气体从基板的外周向比从基板的外周向朝向基板的中心的方向靠基板的外周侧的方向供给的第二气体供给口。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
