[发明专利]一种高折射率差YAG单晶异质结构薄膜波导及其制备方法在审
| 申请号： | 202010089291.1 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111257995A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 项炳锡;阮双琛;柴广跃;马钰洁;王萌 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/132;G02B6/134;C23C16/40;C23C16/50;C23C28/00;C30B33/06;C30B29/28 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 518118 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高折射率差YAG单晶异质结构薄膜波导及其制备方法，包括有He离子注入的YAG晶体(1)和YAG晶体衬底(2)，其特征在于，在所述He离子注入的YAG晶体(1)的注入面之下依次具有SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 折射率 yag 单晶异质 结构 薄膜 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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