[发明专利]芯片电阻器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010091090.5 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111276305A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 米田将记 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/20 | 分类号： | H01C7/20;H01C1/148;H01C1/012;H01C17/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够缓和因热膨胀的差异所引起的应力而抑制龟裂产生的芯片电阻器及其制造方法。芯片电阻器(A1)具备：基板(1)，具有相互朝向相反侧的搭载面(11)及安装面(12)；一对上表面电极(31)，配置于基板(1)的搭载面(11)的两端；电阻体(2)，在基板(1)的搭载面(11)上搭载于一对上表面电极(31)之间，且分别与一对上表面电极(31)导通；应力缓和层(34)，形成于基板(1)的安装面(12)且具有柔性；一对金属薄膜层(32)，形成于应力缓和层(34)的与基板(1)为相反侧的面；侧面电极(33)，使上表面电极(31)与金属薄膜层(32)导通；以及镀覆层(35)，覆盖侧面电极(33)及金属薄膜层(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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