[发明专利]在N型接触之间具有改进的电气隔离的光子集成电路有效
| 申请号： | 202010091835.8 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111580215B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | K·彼得爱德斯;D·鲍德韦因 | 申请（专利权）人： | 效能光子私人有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 南毅宁 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种光子集成电路(1)，包括装配在具有外延层堆叠(2)的半导体晶圆上的第一光电器件(10)和第二光电器件(12)，外延层堆叠(2)包括设置有至少一个选择性p型掺杂管状区域(6)的n型基于磷化铟的接触层(3)，区域(6)用于在第一光电器件和第二光电器件的各自的n型接触区域之间提供电气屏障，第一光电器件和第二光电器件通过装配在包含磷化砷铟镓的非故意掺杂波导层(9)中的无源光波导(14)光学互连，非故意掺杂波导层被布置在n型掺杂接触层的顶部上，至少一个选择性p型掺杂管状区域的第一部分(15)布置在第一光电器件与第二光电器件之间的无源光波导的下方。本公开还涉及一种包括该光子集成电路的光电系统(33)。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 之间 具有 改进 电气 隔离 光子 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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