[发明专利]VDMOSFET器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010091971.7 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN113270495A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 卢烁今 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOSFET器件结构及其制作方法。该VDMOSFET器件结构包括沿竖直方向依次设置的第一电极、截止区、漂移区、阱区和第二电极，阱区内分布有间隔设置的多个电极区，每一电极区与一沟槽配合设置，每一沟槽的上、下端分别设置于所述电极区、漂移区内，所述沟槽内设置有第三电极，以及，所述漂移区中对应于所述沟槽下部、中下部的区域内还分别形成有第一保护环、第二保护环。本发明实施例提供的VDMOSFET器件结构，在沟槽的底部和中部偏下的位置都形成有P型的保护环，可以保护沟槽的底部和中部偏下的位置不发生击穿，而将击穿发生的位置转移到P阱区和N‑漂移区之间的PN结，进而在不影响性能的前提下，提高了器件的击穿电压和器件的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | vdmosfet 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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