[发明专利]半导体装置用接合线在审
| 申请号： | 202010092522.4 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111276459A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 山田隆;小田大造;榛原照男;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨光军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性，适合于车载用设备。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，接合线含有合计为0.1～100质量ppm的As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的1种以上的元素。由此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的1种以上时，能够提高在170℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成含有Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
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