[发明专利]一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器有效
| 申请号： | 202010092622.7 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111276602B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 朱慧;金磊;王晨;王斯;柳杰;李锐;刘佳慧 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I‑V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钨酸铋 材料 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
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