[发明专利]功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010092786.X | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111584614A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | P.C.布兰特;M.普法芬莱纳;F.D.普菲尔施;F.J.桑托斯罗德里格斯;S.施密特;F.乌姆巴赫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体器件包括半导体本体并且呈现有源区和边缘终止区，其中，在有源区内，半导体本体包括第一导电类型的漂移区，并且其中边缘终止区包括：第二导电类型的保护区，该保护区在半导体本体的前侧处被包括在半导体本体中并且围绕有源区；以及场板沟槽结构，其从前侧竖直延伸到半导体本体中并且至少部分地填充有导电材料，导电材料与保护区电连接并且通过场板绝缘结构与保护区外部的半导体本体绝缘，其中，场板沟槽结构的第一部分至少部分地延伸到保护区中，并且至少部分地布置在布置于前侧处的金属层下方；以及场板沟槽结构的第二部分延伸到保护区的外部并围绕有源区，其中金属层不在场板沟槽结构的第二部分上方延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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