[发明专利]一种硅基阵列叠层太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010092857.6 申请日: 2020-02-14
公开(公告)号: CN111370520A 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强 申请(专利权)人: 常熟理工学院
主分类号: H01L31/0687 分类号: H01L31/0687;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张俊范
地址: 215500 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池,包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构,底电池结构包括n型单晶硅衬底,n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO2绝缘层,在n型单晶硅衬底中间及纳米孔内壁制备p型掺杂层,n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层;顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极,TiO2薄膜层层叠于SiO2绝缘层和p型掺杂层之上并填充嵌入纳米孔内。本发明通过利用硅孔阵列优异的光捕获能力,同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率,在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
搜索关键词: 一种 阵列 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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