[发明专利]电平移位电路有效
| 申请号： | 202010093349.X | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111294042B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄明永 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电平移位电路，包括锁存单元、驱动单元、转换单元和输入单元，所述转换单元包括第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，所述输入单元包括第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管，实现了第一信号为零压低电平信号时，驱动单元的输入电压(即第三PMOS晶体管的栅极电压)为第一电源端电压的负值，则第三PMOS晶体管的栅源间电压为两倍的第一电源端电压，大大高于第三PMOS晶体管的阈值开启电压，提高了第三PMOS晶体管的驱动能力及电平移位电路的工作速度，降低了第三PMOS晶体管的电流，当第一信号为正压高电平信号时，驱动单元的输入电压(即第三PMOS晶体管的栅极电压)为第一电源端电压，第三PMOS晶体管关断。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 移位 电路 | ||
【主权项】：
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