[发明专利]一种无结场效应晶体管式压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010094292.5 | 申请日： | 2020-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN111244261B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 付一凡;马刘红;段智勇;邵倩倩;钟英辉;李梦珂 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/29;G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 付艳丽 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无结场效应晶体管式压力传感器及其制备方法，包括对称设于基片左右两端的源区和漏区，所述源区和漏区之间垂直设有若干条纳米线，且所述源区和漏区与所述纳米线的掺杂类型和浓度一致；所述纳米线上生长有介质包裹层，所述源区和漏区之间沿垂直于所述纳米线的方向设有压电栅条，所述压电栅条与所述纳米线之间通过所述介质包裹层相隔离，所述压电栅条由掺杂氧化锌制成，且所述掺杂氧化锌的掺杂类型与所述源区和漏区以及所述纳米线的掺杂类型相反，所述压电栅条上设有栅电极。以硅纳米线作为晶体管沟道，以氧化锌作为压电栅条，基于氧化锌与二氧化硅的良好兼容性，得到的压力传感器具有尺寸小、集成度高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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