[发明专利]一种会切场低推力射频离子推力器有效
| 申请号： | 202010094636.2 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111322214B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 朱悉铭;孟圣峰;金泉;宁中喜;王彦飞 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种会切场低推力射频离子推力器，属于航天器推进技术领域，特别是涉及一种会切场低推力射频离子推力器。解决了现有射频离子推力器推力下限较高的问题。它包括射频天线、工质输送通道、电离室、铁氧体、永磁铁、直流电源、射频电源和栅极装置，所述电离室为圆柱形放电腔体，所述工质输送通道与电离室相连，中性气体通过工质输送通道进入电离室，所述射频电源设置于电离室的外部，所述射频天线设置在电离室的顶部，并与铁氧体配合相连，所述射频天线的两端分别连接射频电源的两极，所述永磁铁环绕电离室布置，为多级结构且极性相对，所述栅极装置分别与直流电源的正极和负极相连。它主要用于射频离子推力器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 会切场低 推力 射频 离子 | ||
【主权项】：
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