[发明专利]一种用于SoC的无掺杂半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种用于片上系统(SoC)的无掺杂半导体器件及其制作方法，其集成单个或多个平面场效应晶体管(FET)或其列阵和单个或多个平面存储器件或其阵列，其中平面场效应晶体管和平面存储器件是具有一无掺杂半导体沟道材料层的单个或多个场效应晶体管单元和单个或多个存储单元。本发明利用无掺杂半导体沟道材料层无需经历高温退火和高温离子注入的特性，能够实现同时将场效应晶体管器件和存储器件集成在同一芯片，包括二维集成或者三维集成结构，由此形成二维场效应晶体管组成的集成电路与内嵌存储集成的SoC，或者是二维或三维SoC与二维或三维存储的任意组合的集成。