[发明专利]一种叠层富硅碳化硅薄膜太阳能电池及制备方法在审

专利信息
申请号: 202010095621.8 申请日: 2020-02-17
公开(公告)号: CN111341858A 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 单丹;杨瑞洪;曹蕴清;仇实;王红玉;陈雪圣 申请(专利权)人: 扬州工业职业技术学院
主分类号: H01L31/028 分类号: H01L31/028;H01L31/0445;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 吴海燕
地址: 225000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种叠层富硅碳化硅薄膜太阳能电池及制备方法,从下至上依次包括ITO导电玻璃、硼掺杂非晶碳化硅薄膜、叠层富硅碳化硅薄膜、磷掺杂非晶碳化硅薄膜、铝电极,其中,叠层富硅碳化硅薄膜由多层不同硅碳比的富硅碳化硅薄膜组成,且通过激光晶化技术形成具有不同光学带隙的镶嵌型硅量子点薄膜吸收层。本发明设计具有不同硅碳比的叠层富硅碳化硅薄膜吸收层,更有效地控制各个子层的光学带隙,能够拓宽光谱响应范围,更有效的提高光吸收率,从而有利于获得比较高的光电转化效率。
搜索关键词: 一种 叠层富硅 碳化硅 薄膜 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
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