[发明专利]一种叠层富硅碳化硅薄膜太阳能电池及制备方法在审
申请号: | 202010095621.8 | 申请日: | 2020-02-17 |
公开(公告)号: | CN111341858A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 单丹;杨瑞洪;曹蕴清;仇实;王红玉;陈雪圣 | 申请(专利权)人: | 扬州工业职业技术学院 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 吴海燕 |
地址: | 225000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种叠层富硅碳化硅薄膜太阳能电池及制备方法,从下至上依次包括ITO导电玻璃、硼掺杂非晶碳化硅薄膜、叠层富硅碳化硅薄膜、磷掺杂非晶碳化硅薄膜、铝电极,其中,叠层富硅碳化硅薄膜由多层不同硅碳比的富硅碳化硅薄膜组成,且通过激光晶化技术形成具有不同光学带隙的镶嵌型硅量子点薄膜吸收层。本发明设计具有不同硅碳比的叠层富硅碳化硅薄膜吸收层,更有效地控制各个子层的光学带隙,能够拓宽光谱响应范围,更有效的提高光吸收率,从而有利于获得比较高的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 叠层富硅 碳化硅 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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