[发明专利]一种P型SiC外延及其生长方法有效
| 申请号： | 202010095671.6 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111293037B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;刘锦锦;张晓洪;袁松;史天超;史文华;钟敏 | 申请（专利权）人： | 启迪微电子（芜湖）有限公司;安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种P型SiC外延及其生长方法，在P型外延层生长时使用铟源作为外延反应腔气体，提高Al并入晶格的几率，增加P型掺杂浓度和掺杂效率，同时In原子半径较大，In‑C键较长，在H |
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| 搜索关键词： | 一种 sic 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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