[发明专利]一种薄膜铂电阻温度传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010095700.9 申请日: 2020-02-17
公开(公告)号: CN111189554A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 褚家宝;王慧峰;杨元才 申请(专利权)人: 上海福宜纳米薄膜技术有限公司
主分类号: G01K7/18 分类号: G01K7/18;C04B41/51
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201821 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种薄膜铂电阻温度传感器的制造方法,包括在双面抛光的蓝宝石晶片表面制备铂薄膜、均匀化处理、刻蚀、激光调阻、制备氧化铝膜层、裂片、引线焊接、包封玻璃浆料、烧结等步骤;本发明的技术效果在于,采用了薄膜铂电阻温度传感器的制造方法,与传统的陶瓷铂电阻元件和厚膜铂电阻元件相比,采用本技术可以降低生产成本,提高生产效率,减小了产品外形尺寸,测量时的响应时间短,产品的一致性有充分的保障。与国内厂商采用薄膜方法制备的同类薄膜电阻元件相比,采用本技术可以大幅度提高测温范围,阻值精度高,具有更好的长期稳定性等优点。
搜索关键词: 一种 薄膜 铂电阻 温度传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
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