[发明专利]用于在3-D NAND应用中沉积插塞填充物的装置和方法在审
| 申请号： | 202010095820.9 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111599815A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | B.金;D.科恩;A.德莫斯 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于形成3‑D NAND器件的装置和方法。形成3‑D NAND器件的方法可包括形成插塞填充物和空隙。通过所述装置和方法获得的优点可包括较低的成本、较高的生产量、器件很少污染至无污染、蚀刻步骤期间很少损坏至无损坏、及结构完整性，以确保形成适当的氧化物‑氮化物双层堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 nand 应用 沉积 填充物 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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