[发明专利]一种LED外延结构生长方法有效
| 申请号： | 202010095968.2 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111276578B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 徐平;龚彬彬;王杰;尹志哲 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;唐玲 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED外延结构生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括生长AlN过渡层、生长InGaN阱层、生长低温AlN层、生长高温AlN‑1层、生长中温AlN层、生长高温AlN‑2层、生长GaN垒层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长方法中存在的量子阱生长质量不高及量子阱辐射复合效率低下的问题，从而提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
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