[发明专利]沟槽型MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010096649.3 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111276542B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 余健;刘金磊 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型MOS器件及其制造方法，在采用常规工艺制作出沟槽型MOS器件晶圆正面上所需的结构后，先对沟槽型MOS器件晶圆的背面进行初次减薄至常规减薄厚度，然后在沟槽型MOS器件晶圆正面上形成上表面平坦的阻挡层以保护沟槽型MOS器件晶圆正面上的器件结构，并提供平坦的键合表面，接着，使用承载晶圆键合到阻挡层上，该承载晶圆可以承载初次减薄后的沟槽型MOS器件晶圆，并在进一步对沟槽型MOS器件晶圆的背面进行再次减薄的过程中抵消其中的应力，从而可以在不损坏沟槽型MOS器件晶圆的正面结构的前提下，最终减薄沟槽型MOS器件晶圆的背面至极限的所需厚度，能达到优化衬底电阻90％，以提高整个器件15％以上的性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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