[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法及系统在审
| 申请号： | 202010096859.2 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111276390A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;蔡丹华;李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法及系统，能在沉积多晶硅薄膜时，监控反应气体流量过冲值和/或反应气体流量爬升速度(即反应气体的流量从0升到目标流量所需的时间)，且在发现监控到的反应气体流量过冲值和/或反应气体流量爬升速度不符合要求(即出现异常)时，能及时停止多晶硅薄膜的沉积工艺。因此，本发明的技术方案能够更早地发现有问题的晶圆，进而直接停止多晶硅薄膜的沉积，并将有问题的晶圆报废，由此省去后续的工艺和测试步骤，提高效率，并降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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