[发明专利]一种变电压SiC MOSFET有源驱动电路有效
| 申请号： | 202010097060.5 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111211770B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李先允;卢乙;倪喜军;王书征;殷帆 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/003 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 何春廷 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种变电压SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路、脉冲产生电路和源极电压电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端的电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于根据接收到的电压信号产生脉冲信号，并传输给源极电压电路；所述源极电压电路，用于根据所述脉冲信号输出驱动电压控制信号给SiC MOSFET。优点：本发明能够通过改变SiC MOSFET驱动电压，抑制SiCMOSFET开关过程中电流变化率，在牺牲较小开关损耗的情况下，抑制器件开关过程中电流、电压过冲和振荡现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 sic mosfet 有源 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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