[发明专利]基于p-GeTe/n-Si光伏型红外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010097961.4 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111341861A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 唐利斌;赵逸群;杨盛谊;彭廷海;舒恂 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 基于p‑GeTe/n‑Si光伏型红外探测器及其制备方法，属于红外探测领域，尤其是一种光伏型红外探测器。本发明由n型单晶Si基片、p型GeTe薄膜和两个电极构成；其中p型GeTe薄膜设置在单晶Si基片之上；两个电极其中一个设置在Si基片表面，另一个设置在GeTe薄膜表面。制备过程包括基片清洗、GeTe薄膜溅射、电极蒸镀、退火步骤。本发明具有工艺简单，易于集成，成本低，响应快，探测率高等优点，且可以在室温下工作，在红外探测领域具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gete si 光伏型 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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