[发明专利]场强分布可调的分裂式磁场辅助同轴激光熔覆装置在审

专利信息
申请号: 202010098490.9 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN111118497A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 王梁;罗建;姚建华 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C23C24/10 分类号: C23C24/10
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 王兵;黄美娟
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 场强分布可调的分裂式磁场辅助同轴激光熔覆装置,包括与激光光路同轴设置的激光传输通道、喷嘴,激光传输通道外套有轴套套筒,激光传输通道和轴套套筒的下端均连接喷嘴;轴套套筒与激光传输通道、喷嘴同轴心设置;轴套套筒上套接有轴套,轴套上套接卡槽环装置,卡槽环装置包括上锥齿轮卡槽环、传动锥齿轮、下锥齿轮卡槽环,其中传动锥齿轮与轴套固结,上锥齿轮卡槽环、下锥齿轮卡槽环分别通过轴承连接在轴套套筒上;传动锥齿轮的上下侧分别与上锥齿轮卡槽环、下锥齿轮卡槽环啮合。本发明的外加稳态磁场可随激光熔覆头同步移动,可以实现复杂路径的调控加工,方便快捷,适用范围广。
搜索关键词: 场强 分布 可调 分裂 磁场 辅助 同轴 激光 装置
【主权项】:
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