[发明专利]一种集成电路晶圆再生制程的处理装置及加工方法在审
| 申请号： | 202010098701.9 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111276432A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 苏晋苗;苏冠暐 | 申请（专利权）人： | 北京芯之路企业管理中心（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B24B53/017;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京中企讯专利代理事务所(普通合伙) 11677 | 代理人： | 熊亮 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子技术领域，尤其是一种集成电路晶圆再生制程的处理装置及加工方法，包括激光除膜装置、化学机械抛光装置和清洗与检测装置，所述激光除膜装置用于对晶圆表面的薄膜移除；所述化学机械抛光装置用于对移除薄膜后的晶圆表面进行抛光处理，所述清洗与检测装置用于对抛光后的晶圆表面进行清洗和晶圆检测，本发明提高晶圆再生与生产效率，减少超纯水与化学品用量，消弭产品缺陷的效果，并最终达到了增加产能、提升良率、节能环保等目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 再生 处理 装置 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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