[发明专利]一种晶圆背面金属化结构、薄化装置及金属化制程方法在审
| 申请号： | 202010098702.3 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111403314A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 苏晋苗;苏冠暐 | 申请（专利权）人： | 北京芯之路企业管理中心（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京中企讯专利代理事务所(普通合伙) 11677 | 代理人： | 熊亮 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子技术领域，尤其是一种晶圆背面金属化结构、薄化装置及金属化制程方法，包括薄化后的集成电路晶圆，所述的薄化后的集成电路晶圆为硅晶圆基板，硅晶圆基板上表面为形成有集成电路，硅晶圆基板的下表面为薄化后的晶圆背面，硅晶圆基板的上表面位于集成电路的上方设置有保护胶层，晶圆背面向下依次设置有金属种子层、金属薄膜层和离子注入保护层，本发明提升产能及良率、提高自动化率使操作安全与优化质量、节省设备投资及维修费、减少原料耗材费用、金属层较佳的附着性等目标的解决方案，在产品良率与产能上均具有优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 金属化 结构 化装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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