[发明专利]一种CMOS感存算一体电路结构有效

专利信息
申请号: 202010099311.3 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN111309670B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 胡绍刚;周桐;邓阳杰;于奇;刘洋 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F15/78 分类号: G06F15/78;G06N3/067;G11C11/412;H04N25/779
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种CMOS感存算一体电路结构。该电路结构包括:CMOS有源相素单元模块、阈值判定电路模块、存算一体电路模块。所述CMOS有源像素单元模块用于将光信号与电信号进行转换;所述阈值判定电路模块用于对像素单元产生的电信号与阈值进行比较判定;所述存算一体电路模块包括:用于存储阈值比较电路输出结果的SRAM存储模块、用于读取SRAM单元存储数据的模块;用于对存储数据进行计算的模块。相比于现有的存算一体化芯片,本发明再将图像传感技术与存算一体芯片融为一体,能极大地提高对于传感数据的运算速度,且集成度高、结构简单、功耗低。
搜索关键词: 一种 cmos 感存算 一体 电路 结构
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010099311.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top