[发明专利]基板冷却装置和基板冷却方法在审
| 申请号： | 202010099333.X | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111696888A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 萨米·K·哈托;乔治·萨科;马修·C·法雷尔;迪安·焦拉 | 申请（专利权）人： | 日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 鹿屹;李雪春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能利用简易结构均匀地冷却基板的基板冷却装置和基板冷却方法。基板冷却装置包括：腔室，接收所述基板，并且具备多个侧壁部，多个侧壁部包围基板且在与所述基板的垂直侧面平行的垂直方向延伸；至少一个气体导入口，形成在所述腔室的第一侧壁部，在与所述基板的所述上表面和所述下表面平行的横向上，向所述腔室内导入冷却气体；以及至少一个气体出口，形成在与所述腔室的所述第一侧壁部隔着所述基板位于相反侧的所述腔室的第二侧壁部，将所述冷却气体的至少一部分沿着所述横向导向所述腔室的外部，所述气体导入口和所述气体出口以下述方式定位：使所述冷却气体以在所述横向横穿所述基板的所述上表面上和所述下表面上的方式流动。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
