[发明专利]超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用，制备方法包括：将10～20μl半导体溶液滴加至第一基液中，静置，得到第二基液，将PTS修饰载体垂直插入第二基液中，再以5～10um/s的速度将PTS修饰载体向上垂直提拉，在PTS修饰载体的表面获得超薄晶态连续有机半导体薄膜，其中，半导体溶液为半导体和有机溶剂的混合物，半导体溶液中半导体的浓度为0.5～1mg/mL，第一基液为四丁基溴化铵和水的混合物，第一基液中四丁基溴化铵的浓度为8～10mg/mL，有机溶剂为甲苯或氯苯。本发明运用较少的有机半导体生成了大面积连续半导体薄膜，可以应用到大面积集成电路的制备。