[发明专利]一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备有效
| 申请号： | 202010100444.8 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111370308B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;李晨;朱慧珑;周娜;王桂磊;李永亮;李俊峰;殷华湘;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/18;H01J37/305;B82Y40/00 |
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| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备，涉及等离子体刻蚀技术领域，以限制刻蚀基板的刻蚀气体的量，提高刻蚀精度。该刻蚀方法包括至少一个刻蚀周期，每个刻蚀周期均包括，提供一容置有基板的腔体。向腔体内通入刻蚀气体。当基板吸附刻蚀气体，排出腔体内处在自由状态的刻蚀气体。将吸附在基板上的刻蚀气体转换为等离子体，利用等离子体对基板进行刻蚀。本发明还提供一种应用于上述刻蚀方法的刻蚀系统，以及应用于该刻蚀系统的刻蚀控制装置。本发明提供的电子器件由上述刻蚀方法制备而成，本发明提供的电子器件应用在电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 系统 控制 装置 电子器件 设备 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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