[发明专利]Ag掺杂Cu2在审

专利信息
申请号: 202010100669.3 申请日: 2020-02-17
公开(公告)号: CN111276597A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 胡剑峰;郑丽仙;骆军 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L35/16 分类号: H01L35/16;H01L35/14;H01L35/34
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种Ag掺杂Cu2SnSe4热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法。采用类金刚石结构热电材料的短周期制备方法,同时降低热导率。所述类金刚石结构热电材料的化学式为Cu2‑xAgxSnSe4,x≤0.06。本发明采用机械合金化(MA)结合放电等离子烧结(SPS)的方法制备Cu2SnSe4系热电材料,与传统的粉末冶金工艺相比,本发明的MA+SPS工艺具有流程短,效率高,耗能少,进一步为Cu2SnSe4与此类材料商用提供了新的方案。利用本发明方法制备的Cu2‑xAgxSnSe4热导率有明显降低,具有制备时间短、工艺简单等优点。
搜索关键词: ag 掺杂 cu base sub
【主权项】:
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