[发明专利]基于铌酸锂-氮化硅晶圆的光电单片集成系统有效
申请号: | 202010101420.4 | 申请日: | 2020-02-19 |
公开(公告)号: | CN111276562B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 邹卫文;徐绍夫;王静;刘建国 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学;中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/18;H01L31/0216;H01L27/02 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 光电子集成技术作为发挥光子优势的重要技术手段,成为光通信、微波光子等领域的重要支撑技术。然而,现有光电子集成还处在单个芯片实现单种器件的水平,多种器件之间的互连成为极大的技术挑战。本发明提出一种基于铌酸锂‑氮化硅晶圆的光电单片集成系统,利用一种新型晶圆(铌酸锂‑氮化硅晶圆),实现了包括电光调制器、光子无源器件等在内的多器件单片集成系统。该系统的制备具有硅基CMOS工艺兼容性,可以在多数芯片制造厂商的平台上实现。并且该系统包含了电光调制、无源信号处理、光电探测在内的多个功能模块,可以满足目前多数光电子系统的单片集成。 | ||
搜索关键词: | 基于 铌酸锂 氮化 硅晶圆 光电 单片 集成 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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