[发明专利]基于铌酸锂-氮化硅晶圆的光电单片集成系统有效

专利信息
申请号: 202010101420.4 申请日: 2020-02-19
公开(公告)号: CN111276562B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 邹卫文;徐绍夫;王静;刘建国 申请(专利权)人: 上海交通大学;中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/12 分类号: H01L31/12;H01L31/18;H01L31/0216;H01L27/02
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 光电子集成技术作为发挥光子优势的重要技术手段,成为光通信、微波光子等领域的重要支撑技术。然而,现有光电子集成还处在单个芯片实现单种器件的水平,多种器件之间的互连成为极大的技术挑战。本发明提出一种基于铌酸锂‑氮化硅晶圆的光电单片集成系统,利用一种新型晶圆(铌酸锂‑氮化硅晶圆),实现了包括电光调制器、光子无源器件等在内的多器件单片集成系统。该系统的制备具有硅基CMOS工艺兼容性,可以在多数芯片制造厂商的平台上实现。并且该系统包含了电光调制、无源信号处理、光电探测在内的多个功能模块,可以满足目前多数光电子系统的单片集成。
搜索关键词: 基于 铌酸锂 氮化 硅晶圆 光电 单片 集成 系统
【主权项】:
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