[发明专利]一种基于晶圆键合形成SiO2衬底的调制器制作方法及其调制器结构

摘要

本发明提供了一种基于晶圆键合形成SiO2衬底的调制器制作方法及其调制器结构，该方法包括：提供SOI晶圆和Si晶圆，在Si晶圆表面制作第一凹槽和填充所述第一凹槽的SiO2衬底层；将SOI晶圆的顶层硅一侧与所述Si晶圆填充有SiO2衬底层的一侧面对面键合，去掉所述SOI晶圆的Si衬底层和SiO2层，制得含顶层硅的SiO2衬底晶圆；在所述SiO2衬底晶圆的顶层硅上制作调制器波导，并制作绝缘介质层和连接到调制器波导重掺杂区的电极，完成调制器的制作。本发明的制作方法及制作的调制器结构可以实现光波和微波群速度的匹配和器件的阻抗匹配，同时降低了器件的微波损耗，不仅能够满足高速调制器的应用需求，还能够实现非气密的封装，机械性能更加稳定，适合大规模制造和商用化。