[发明专利]一种实现精准套刻的工艺方法有效
| 申请号： | 202010102702.6 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111273524B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 朱继光 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 罗庆 |
| 地址： | 400030 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种实现精准套刻的工艺方法，该工艺方法包括：将需要精确套刻的至少两层光掩模进行逻辑运算，生成包含第一层和第二层所需图形的合集光掩模、第一层扩展光掩模和第二层扩展光掩模；提供目标介质层及覆盖其上的硬掩模层，利用半导体光刻工艺先将合集光掩模的图形传导到所述硬掩模层上，形成硬掩模图形，再依次将第一层扩展光掩模和第二层扩展光掩模的图形传导到所述目标介质层上，形成第一层图形和与之零套刻精度的第二层图形。本发明提出的实现精准套刻的工艺方法，具有工艺简单，能够实现前后待对准层次的零误差的套刻精度，为目前提出较高对准工艺要求的芯片研发和制造提供了非常大的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 精准 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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