[发明专利]沟槽型IGBT及其制备方法在审
| 申请号： | 202010103077.7 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111180338A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 谢梓翔;史波;肖婷;陈茂麟 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 董文倩 |
| 地址： | 519070 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供具有发射区的基体，形成贯穿基体的第一表面和发射区的沟槽；S2，形成覆盖沟槽和第一表面的第一栅氧层，并形成覆盖第一栅氧层的栅极层，栅极层中的部分填充于沟槽中；S3，在沟槽之间的基体中形成贯穿栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内的接触孔，在接触孔的部分表面形成第二栅氧层，并在接触孔中形成发射极，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。该制备方法通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极和发射极短接而导致的IGBT失效。并且，上述制备方法中还能够进一步通过增大接触孔与发射区的接触面积，使得接触孔与发射区之间的过电流能力增强。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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