[发明专利]一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法在审
| 申请号： | 202010103343.6 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111174931A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;刘智慧;刘远兵 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，属于表面加工、涂层、薄膜材料技术领域。本发明在基片表面制备多层薄膜热电偶，利用多层薄膜热电偶同时进行温度测试，得到从基片表面沿法向方向不同位置的温度，进而获得温度沿基片表面法向方向的梯度。本发明所述温度梯度的测试方法与现有温度梯度的测试方法相比较，具有高的空间分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 温度 沿基片 表面 方向 梯度 方法 | ||
【主权项】：
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