[发明专利]一种脑磁测量头盔的设计和标定方法有效
| 申请号： | 202010103345.5 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111289926B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 宁晓琳;曹富智;安楠;房建成;韩邦成 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00;G01R33/032;A61B5/245;A61B5/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 安丽;邓治平 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脑磁测量头盔的设计和标定方法。头戴式脑磁测量头盔的设计是根据三维扫描的头部实际形状外扩1cm作为头盔曲面，按照SERF原子磁强计的尺寸布置插槽，在头盔上标记三个基准点用于后续各插槽位置及方向的坐标转换。配合所设计的有基准点标记的头盔，使用三维光学扫描仪或者点位置追踪器确定佩戴头盔时的人脑和头盔的三个基准点，根据坐标系转换关系，由插槽上下表面中心位置坐标实现人脑坐标系下头盔各插槽位置及方向的标定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 头盔 设计 标定 方法 | ||
【主权项】：
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