[发明专利]一种基于SERF原子磁强计的梯度仪配置式脑磁测量系统有效

专利信息
申请号: 202010103353.X 申请日: 2020-02-19
公开(公告)号: CN111281370B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 宁晓琳;安楠;曹富智;房建成;韩邦成 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: A61B5/245 分类号: A61B5/245;A61B5/246;A61B5/00;G01R33/032
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 安丽;邓治平
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基于SERF原子磁强计的梯度仪配置式脑磁测量系统,包括:磁屏蔽房、适用于梯度仪配置模式的脑磁测量帽、SERF原子磁强计梯度仪传感器阵列、SERF原子磁强计参考传感器阵列、脑磁诱发刺激系统、数据采集及处理系统。相比于价格高、运行成本高,体积庞大,结构笨重的传统的SQUID(超导量子干涉仪)脑磁测量系统,基于SERF原子磁强计的脑磁测量系统结构灵活,运行成本可忽略不计,并能实现与SQUID相同的脑磁测量。其次,基于SERF原子磁强计的梯度仪配置式脑磁测量系统相比其他只用SERF原子磁强计进行单一方向磁场测量的脑磁系统,它能更加有效的抵消环境磁场噪声,提高信噪比。
搜索关键词: 一种 基于 serf 原子 磁强计 梯度 配置 式脑磁 测量 系统
【主权项】:
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