[发明专利]提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料在审
| 申请号： | 202010103574.7 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113279054A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 孙钱;黄应南;刘建勋;孙秀建;詹晓宁;高宏伟;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/04 | 分类号： | C30B25/04;C30B25/18;C30B29/38;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/04 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料。所述提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法包括：在衬底上生长形成氮化铝底层，在所述氮化铝底层上生长氮化铝孔洞形成层，同时在氮化铝孔洞形成层内形成复数个孔洞；在所述氮化铝孔洞形成层上生长氮化铝合并层，并使形成氮化铝合并层的材料在各孔洞顶部合并而原位形成空洞，且使所述空洞被包裹在氮化铝合并层内部，从而使在所述空洞之上形成的外延层具有平整无裂纹的表面。本发明的提高AlN材料质量的外延生长方法具有降低位错密度效果显著、可以同时抑制裂纹、工艺简单、适应性广等许多优点，从而生长更厚的无裂纹、高质量的AlN材料，完全适合应用于商业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 氮化 材料 晶体 质量 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010103574.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：不粘金属板
- 下一篇：基于可视对讲网络的辐射空调控制系统、及双网口网关
